>在HBM需求大，且存储价格上涨的时期，Samsung在韩国平泽工厂新建新的测试线，包括一条DRAM的测试线，以及一条NAND的测试线。
> DRAM的测试线主要是为了测试1d DRAM，提升其产品良率，主要是LPDDR5X，HBM的良率，以此来提高与SKHynix的竞争力。
> NAND的测试线主要是为了测试400层的3D NAND，为了加速推出下一代NAND 产品，巩固其产品的领先地位。
>根据群智咨询（Sigmaintell）的调查，三星的1c DRAM将于2025年量产，也是在平泽工厂，1d DRAM试产线建立到量产预计需要一年的时间，最快也要到2026年在量产。
洞察
