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台积电规划在HV工艺上跳过22nm,直接进入FinFET(16nm)节点,预计将在2026年上半年量产

发布时间: 2025/02/11 关注度: 577

> 台积电规划在HV工艺上跳过22nm,直接进入FinFET(16nm)节点,预计将在2026年上半年量产。

> 预计2026年起,三星将把HBM4基底技术外包至台积电生产,主要使用12/6nm制程。

> 24Q1~24Q3台积电12/16nm制程产能利用率有所下滑。12/16nm主要用于通讯、HPC及消费电子等,稼动率下降的主要原因为下游需求制程升级。

> 台积电在2024年11月初向中国大陆设计客户发出通知,将从11月11日起对中国大陆客户停供部分7nm及以下制程芯片代工业务,停供范围包括AI/服务器应用,不包括汽车和消费电子应用。根据群智咨询(Sigmaintell)调研,12月起,台积电已经恢复接受部分客户代工订单,前提是客户配合进行美国商务部要求的相关审查。

> 台积电24Q4营收约269亿美元,环比增长约14.4%,营业利润约131.8亿美元,环比增长约18%。24Q4 HPC业务营收额环比增长10%,占比达到53%。

> 1月21日,台湾嘉义县发生里氏6.4级地震,预计影响台积电1月份晶圆产出约2-3万片,25Q1营收预计将减少2.77亿美元。

> 台积电的长期扩产计划中,将有6座新厂在台南沙仑建设,前三座将用于1.4nm制程,后三座则将使用1nm制程。目前第一座新厂仍处在土地规划阶段,预计最早2027年动工。

> 受到美国关税政策影响,台积电将可能在2025年Q1进一步提高先进制程涨价幅度,预计5nm及以下制程晶圆价格涨幅将从2024年初宣布的5%-10%提高至10%-15%,且对小客户的涨幅更高。
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